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IRFIZ48N
4000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 32A
V DS = 44V
V DS = 28V
3000
C iss
12
2000
1000
C oss
C rss
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIGURE 13
60 80
100
A
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
T J = 175°C
T J = 25°C
100
10
10μs
100μs
1m s
1
10ms
0.1
V GS = 0V
A
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
A
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
1
10
100
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating
Area
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